光刻UV-LED曝光系統

虹科 ALE/1C光刻UV-LED曝光系統是一種用于多用途工業應用的高強度非相干點光源。 它基于 UV-LED 技術，與傳統的高壓汞放電燈相比具有多種優勢，例如降低功耗和發熱、延長使用壽命以及減少整體設置維護。

ALE/1C – UV-LED 曝光系統建立在平臺概念之上，在其光路中最多可組合三個 UV-LED 發射器。 這些光源通常用于光刻工藝(半導體制造)和工業光固化應用。

●內置實現高效率和性能

●無汞設計，未來可持續

實現最佳OEM集成的分段設計配置

ALE/1C 光源遵循分布式設計方法，通常由一個控制子系統 (CSS) 和一個或多個獨立的曝光子系統 (ESS) 組成，非常緊湊，但功能極其強大：我們的 UV-LED 曝光頭的這種設計原理實現輕松直接集成到您的設備中。 此曝光子系統發出的光可以與各種可用的光管、光導和其它(定制的)光學器件結合使用。

控制子系統(CSS)

有兩個版本的 CSS 可用：獨立單元和 4U 19″ 機架安裝單元。 兩個 ALE/1C CSS 版本都具有相同的控制接口、冷卻系統連接器和系統狀態指示燈。 此外，機架安裝版本在前面提供了一個曝光測試鑰匙開關，無需外部控制信號即可激活光輸出。

曝光子系統(ESS)

ALE/1C 光引擎是光管耦合點光源。 該系統具有緊湊的曝光子系統 (ESS)，可以輕松集成到您現有的設備(改裝)或新設計中。 這個 UV-LED 光引擎連接到一個單獨的控制子系統 (CSS)，提供控制和驅動固態發射器以及所有必需的光學組件所需的所有硬件和軟件。

出光選擇與光學元件

我們提供一系列可與 ALE/1C ESS 結合使用的柔性液態光導、光管、勻化器和聚光光學器件。 如果您需要遠距離傳輸高功率輻射、提高均勻性或想要調整輸出輻射的準直角，這些組件特別有用。 請查看我們的光學優化頁面了解更多信息。

標準光刻配置：365 nm, 405 nm, 435nm

我們的標準 ALE/1C 設置將 UV-LED 發射器與汞光譜的 i、h 和 g 線 (365 / 405 / 435 nm) 附近的峰值波長相結合。 無論您是想在不更換濾光片的情況下切換波長、自定義輸出光譜的組成，還是想利用非常強烈的寬帶曝光，我們的 ALE/1C 都能為您提供 350 至 450 光譜范圍內的最高 UV-LED 輻射輸出

我們的 ALE/1C 的總輸出功率高達 40 W 或在冷卻回路中添加外部冷卻器時高達 50 W。

ALE/1C 光刻UV-LED曝光系統的光譜組成有多種選擇。 最多可組合 3 個 LED 模塊：

• 近紫外（365、385、405、435 nm）、

• 可見光（470、520、620、660、690 nm）

• NIR-LED （730、770、810、850、970 nm）